32-нм - не предел для оптической литографии

Любая технология, в данном случае оптическая литография, когда-нибудь устареет, и доработки вкупе с модернизацией лишь отсрочивают этот неизбежный финал. Для производства полупроводниковых микросхем уже установлен технологический барьер, но инженерам компании IBM удалось создать самые миниатюрные структуры шириной 29,9-нм с помощью 193-нм оптической литографии. О своем достижении IBM заявила на прошедшей в понедельник конференции SPIE Microlithography 2006, где также было отмечено превосходство новых структур над теми, что производятся сейчас.

Благодаря применению оптических сканеров с источником излучения глубокой ультрафиолетовой части спектра (Deep-UV) размер структур втрое меньше тех, что используются в современной полупроводниковой 90-нм промышленности и, соответственно, меньше, чем тот самый технологический барьер (32-нм). Разумеется, на конференции была представлена и сама экспериментальная литографическая установка, которой дали оригинальное и подходящее название NEMO.

Инф. 3DNews