Именно поэтому в израильской компании разработали и внедрили на собственной фабрике Fab 2 технологический процесс Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor (LDMOS) с использованием 0,18-мкм норм.

Особенность технологии LDMOS в том, что они позволяет интегрировать в одном чипе логические схемы с высокой плотностью размещения элементов, схемы смешанного типа (для аналоговых и цифровых сигналов) и высоковольтные цепи.

Благодаря этому, LDMOS широко применяется в чипах для жидкокристаллических экранов для сотовых телефонов и других карманных устройств, позволяя уменьшить размеры и энергопотребление изделий.

Напряжение в новых приборах может достигать 25 В (исток/сток) и 12 В (затвор). Они могут быть использованы совместно с однократно и многократно программируемой памятью, и другими разработками Tower Semiconductor для норм 0,18 мкм.

Упомянутая Fab 2 может обрабатывать в месяц до 15000 200-мм пластин.

iXBT.com