Специализирующаяся на полупроводниковых технологиях компания UMC сообщила об успешном создании 45-нм SRAM-чипов. Площадь ячейки памяти, хранящей 1 бит информации, в таких чипах составляет не более 0,25 кв. мкм. При разработке использовались методы иммерсионной литографии, а также современные технологии. Следует отметить, что при создании SRAM-чипов UMC использовала изоляторы с малой диэлектрической проницаемостью low-k (k=2,5).

Как сообщают разработчики, 45-нм техпроцесс позволил в два раза уменьшить площадь 6-транзисторной ячейки памяти по сравнению с 65-нм технологией производства. Также повысилось и быстродействие чипа – на целых 30%. Основные разработки велись на заводе Fab 12A, где используется оборудование, ориентированное на работу с 300-мм пластинами.

Под конец отметим, что UMC не является первопроходцем в 45-нм технологиях. Разработки уже относительно давно ведут такие представители IT-рынка как Samsung, IBM, Texas Instruments, полупроводниковый гигант TSMC и другие. Как видим, UMC имеет твердое намерение вступить в ряды первых компаний, запускающих 45-нм чипы в массовое производство.

3DNews