Директор Intel по разработке компонентов Майк Мэйберри сообщил о том, что его подразделением в настоящее время ведется работа над внедрением нового типа транзисторов с эффектом плавающего заряда (floating-body cell), которые в будущем должны позволить оснащать процессоры Intel кэш-памятью куда большего объема.

В настоящее время для этих целей используется SRAM (static RAM), но плотность ее чипов на сегодня не слишком высока - для хранения одного бита информации требуется шесть транзисторов. Альтернативная технология, EDRAM (embedded RAM) слишком дорога в производстве и, тому же, не обладает достаточными скоростными показателями. Для хранения бита информации при использовании floating-body cell потребуется всего один транзистор.

Напомним, это не первая разработка, использующая подобный эффект - почти два года назад компания Toshiba объявила о разработке памяти типа floating-body DRAM.

Оригинальность подхода Intel заключается в том, что ее дизайн для изменения силы заряда, поступающего на ячейку памяти и логический транзистор, использует два затвора вместо одного совместно с варьирующейся толщиной оксидной подложки.

В этой связи вспоминаются разработки Intel, направленные на создание трехзатворных транзисторов, которые компания намерена внедрить в ближайшие 3-7 лет.

iXBT