• Главная
  • ЛЕНТА НОВОСТЕЙ
  • АРХИВ НОВОСТЕЙ
  • Политическая жизнь Армении
  • Украинско-армянские отношения
  • Культура и искусство Армении
  • RSS feed
  • 45 нанометров – новый рекорд плотности микросхем
    Опубликовано: 2006-01-26 17:39:00

    Корпорация Intel изготовила первый в мире чип статической оперативной памяти (SRAM) с 1 миллиардом транзисторов и первый — по техпроцессу 0,045 микрона, то есть, с расстоянием между элементами схемы 45 нанометров.

    "Это означает, что мы можем упаковать в два раза больше транзисторов на одной схеме, которая будет требовать меньше энергии", — объяснил ведущий инженер корпорации Марк Бор (Mark Bohr).

    По его словам, новый чип в лишний раз подтверждает закон, сформулированный соучредителем Intel Гордоном Муром (Gordon Moore), который гласит, что количество транзисторов на кристалле удваивается каждые 18 месяцев.

    Серийно производить чипы по новой технологии, используя кремниевые пластины диаметром 300 мм, Intel намеревается во второй ине 2007 года.

    Инф. Мembrana

     

    Внимание!!! При перепечатке авторских материалов с ArmEmbassy.com.ua активная ссылка (не закрытая в теги noindex или nofollow, а именно открытая!!!) на портал "Армянские новости в Украине ArmEmbassy.com.ua" обязательна.

    САМОЕ ЧИТАЕМОЕ

    22 июл, 23:27

    30 окт, 22:04

    25 сен, 21:14

    04 сен, 18:29

    01 сен, 18:33

    24 авг, 10:35

    Армянские новости в Украине
    Электронная почта проекта: info@armembassy.com.ua

    Официальный сайт Посольства Армении в Украине находится по другому адресу
    bigmir)net TOP 100

    Яндекс цитирования
    Яндекс.Метрика
    © Армянские новости в Украине. Все права защищены.
    При использовании материалов сайта в печатном или электронном виде активная ссылка на ArmEmbassy.com.ua обязательна. Мнение редакции может не совпадать с мнением автора.