Помимо инноваций представленных компанией IBM на SPIE Microlithography 2006, были и выступления специалистов в данной области, напомнившие, что переход на 32-нм техпроцесс должен состояться в 2009 году, но четкой перспективы в поиске альтернативы не наблюдается. Эксперты бельгийского исследовательского центра IMEC выделяют три кандидата на место будущей технологии - с двойным экспонированием, «ультрафиолетовая» (extreme ultraviolet, EUV) и 193-нм иммерсионная.

Наименьший риск при производстве по нормам 32-нм технологического процесса имеют технология с двойным экспонированием и иммерсионная литография. IBM сообщила, что 193-нм технология Deep-UV позволила создать 29,9-нм структуры, а руководители IMEC по той же технологии в стенах собственной лаборатории произвели 40-нм элементы.

Для дальнейшего развития оптической литографии ключевую роль ает иммерсионные жидкости второго и третьего поколения, коэффициенты преломления которых - 1,65 и 1,8. Что же до технологии с двойным экспонированием, то ее основные недостатки – неровности по краям, высокая стоимость производства, чувствительность и разрешение фоторезистора. А ведь, несмотря на эти проблемы Intel возлагает на EUV большие надежды, или уже нет?

Инф. 3DNews