Резистивная память (resistive RAM, ReRAM или RRAM), как и многие другие разработки, создаётся с целью заменить собой флэш-память, когда её возможности масштабирования перестанут удовлетворять отрасль и потребителей.

Напомним ключевые особенности памяти этого типа:

• Напряжение питания и ток записи новой памяти - 1,8 В и 100 мкА, соответственно
• Время чтения - 10 нс и менее
• Температура процесса - 400°C
• Надежность при работе в условиях высокой температуры окружающей среды.

Fujitsu, являющаяся одним из активных разработчиков этого типа памяти, ожидала, что коммерческие образцы продуктов на базе RRAM должны стать доступны ориентировочно в 2010 году.

В данный момент технологией заинтересовались еще несколько промышленных гигантов среди которых Sharp, Sony, Samsung, LSI Logic, Matsushita и Winbond. Этот список далеко не полон и включает в себя лишь крупнейшие из компаний, которые уже получили патенты на разработки в области RRAM. В результате рынок может увидеть коммерческие продукты на базе технологии уже в 2008 году, утверждает источник.

В частности, у Sharp уже готовы предварительные образцы такой энергонезависимой памяти. Тесты показали, что скорости чтения и записи её превышают в 1000 раз теоретический предел NAND-флэш. К сожалению, пока не указывается, какого объёма образцы были получены, а равно неизвестны и подробности о техпроцессе производства. По материалам EE Times.

Инф. iXBT