Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства динамической памяти DDR2 плотностью 1 Гбит по нормам 80 нм. Справедливости ради, нужно заметить, что чипы такой плотности уже выпускаются сегодня, но по более дорогостоящему и менее эффективному 90-нм технологическому процессу.

Применение 80-нм процесса позволило Samsung выпустить самый миниатюрный в мире на данный момент 1-Гбит чип DRAM (размерами 11 x 11,5 мм). Он на 36% меньше по площади, чем 11 x 18 мм чип, выпускаемый по нормам 90 нм, и больше похож на выпускаемый по этим нормам 512-Мбит чип.

Большинство производимых сейчас 1-Гбит чипов используется в памяти для серверов: 4-Гб модулях DIMM с полной буферизацией и 2-Гб миниатюрных модулях SODIMM.

По оценке аналитиков компании Gartner, объем мирового рынка DRAM в этом году составил 28,7 млрд. долл. и должен увеличиться до 37,8 млрд. долл. к 2008 году. На долю 1-Гбит памяти пока приходится всего 8% от этого объема, но в 2008 году эта доля возрастет до 36%.

Инф. iXBT