Компания Samsung Electronics сегодня анонсировала новые чипы Flash-памяти стандарта NAND, изготовленные по 40-нм технологическому процессу, что является абсолютным рекордом миниатюрности технологий.

Более того, в 2008 году компания планирует представить образцы, созданные по 20-нм процессу.

Напомним, что традиционные образцы NAND-памяти созданы по 70- или 60-нм технологическому процессу. Технически, уменьшение размеров транзисторов, применяемых в модулях, позволит вместить их большее количество на единой схеме, что даст дополнительные объемы памяти.

Также компания представила принципиально новые образцы памяти стандарта PRAM (Phase-change Random Access Memory), которая дает 30-кратный прирост производительности по сравнению с существующими вариантами NOR-чипов.

В Samsung позиционируют новые разработки как решения для хранения данных в MP3-плеерах и ноутбуках. Традиционные образцы Flash-памяти на сегодня не превышают 16 Гб, а новые разработки Samsung должны достичь 100 Гб.

Известно, что первые образцы 40-нм памяти будут иметь объем 32Гб на чип, что позволит создавать 64Гб карты памяти.

По прогнозам инженеров Samsung, в 2008 году на рынке появятся 20-нм память объемом 256Гб

Инф. CyberSecurity