• Главная
  • ЛЕНТА НОВОСТЕЙ
  • АРХИВ НОВОСТЕЙ
  • Политическая жизнь Армении
  • Украинско-армянские отношения
  • Культура и искусство Армении
  • RSS feed
  • За пределами а: новые транзисторные технологии от Массачусетского технологического института
    Опубликовано: 2006-12-12 12:21:27

    Ученые Массачусетского технологического института продемонстрировали технологию, которая может стать новой важной фазой в эволюцию микроэлектроники, которая уже представила миру iPodы, портативные компьютеры и много других изобретений.

    «Если мы как можно скорее не представим какое-нибудь оригинальное решение, революция микроэлектроники, которая обогащала нашу жизнь различными способами, может потерепеть фиаско», - заявил исследователь дель Амо (del Alamo), специалист в электронной инженерии.

    Инженеры пришли к выводу, что в течение 10-15 лет электронная инженерия может исчерпать все свои возможности. В результате, лаборатория Аламо и многие другие во всем мире работают над новыми материалами и технологиями, которые могут превзойти возможности а. «Мы ищем полупроводниковые материалы для транзисторов, которые будут продолжать улучшать качество передачи, в то время как сами приспособления будут становиться все меньше и меньше», - отметил дель Амо.

    Один из таких материалов, над исследованием свойств которого работают дель Аламо и его студенты в университете, - семья индиево-арсенид-галлиевых полупроводников.

    Группа дель Амо недавно продемонстрировала это путем конструирования InGaAs транзисторов, которые проводят в 2,5 раза больше тока, чем современные овые приспособления. К тому же, каждый InGaAs транзистор длиной всего лишь 60 нанометров, или миллиардных метра. Это очень напоминает самую продвинутую 65-нанометровую овую технологию, доступную сейчас в мире.

    «60-нанометровый InGaAs-транзистор с квантовыми ямами, продемонстрированный профессором и его группой, потребляет удивительно мало энергии (например, 0,5 Вольт)», - говорит Роберт Чау (Robert Chau), старший сотрудник и директор исследований транзисторных систем и нанотехнологий в Intel, компании, которая поддерживает исследование.

    Дель Амо отмечает, что транзисторная технология до сих пор находится в «детском» возрасте. Единственным спорным вопросом является изготовление транзисторов в большом количестве, поскольку InGaAs более склонен ломаться, чем .

    «Если потрудиться, технология полупроводников может превзойти овую и позволить нам продолжить микроэлектронную революцию на годы вперед», - заявил дель Аламо.

    По материалам EurekAlert! Подготовила Наталья Приходько
    Внимание!!! При перепечатке авторских материалов с ArmEmbassy.com.ua активная ссылка (не закрытая в теги noindex или nofollow, а именно открытая!!!) на портал "Армянские новости в Украине ArmEmbassy.com.ua" обязательна.

    САМОЕ ЧИТАЕМОЕ

    30 окт, 22:04

    25 сен, 21:14

    04 сен, 18:29

    01 сен, 18:33

    24 авг, 10:35

    22 авг, 18:33

    Армянские новости в Украине
    Электронная почта проекта: info@armembassy.com.ua

    Официальный сайт Посольства Армении в Украине находится по другому адресу
    bigmir)net TOP 100

    Яндекс цитирования
    Яндекс.Метрика
    © Армянские новости в Украине. Все права защищены.
    При использовании материалов сайта в печатном или электронном виде активная ссылка на ArmEmbassy.com.ua обязательна. Мнение редакции может не совпадать с мнением автора.