Корейская компания будет использовать в своих мобильных аппаратах модули PRAM — память с произвольным доступом на основе фазового перехода. Это повысит быстродействие аппаратов и увеличит время работы от батареи.

Samsung объявила о намерениии в ближайшее время полностью отказаться от использования в своих новых смартфонах флэш-памяти и перейти на более технологичные и быстрые модули типа PRAM (Phase-change Random Access Memory — «память с произвольным доступом на основе фазового перехода»).

В основе кристалла памяти PRAM лежит сплав германия с сурьмой и титаном. Внешне такой материал похож на кусок стекла и обладает способностью менять физические свойства в зависимости от своего фазового состояния — аморфного или кристаллического.

По убеждению самой Samsung, использование в аппаратах модулей памяти PRAM позволит увеличить продолжительность автономной работы телефона на 20%, а так же ощутимо повысит его быстродействие. Новая память умеет считывать и записывать данные до 10 раз быстрей, чем некоторые типы флэш-памяти.

Модули фазовой памяти будут совместимы с модулями флэш-памяти на всех уровнях. Начать производство устройств на базе PRAM корейская компания планирует в 2010-2011 годах. Первый PRAM-чип будет иметь емкость 512 Мбит.

Источник: BBC

Инф. delo.ua